2021年8月10日NEO半導體已獲得了NAND技術的專利，具有SLC速度的QLC閃存

　　在2020虛擬閃存峰會期間，NEO半導體首席執行官兼創始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術。這是被稱為X-NAND的閃存技術，其特點是將SLC的速度與QLC的高密度與低價結合在一起。據Blocks And Files報道，NEO半導體已獲得了NAND技術的專利。這家位于圣何塞的公司成立于2012年，目前擁有20多項與內存相關的專利，而且還在不斷研發中。

　　自NAND閃存誕生以來，一直沒有停下發展的腳步，基本上都是追求更高的存儲密度。從最初的SLC一直發展到現在的QLC，存儲密度有了大幅度提升，但隨著單元中位數增加，讀寫速度相對更低了，而且耐用性也變差了。

　　X-NAND技術旨在擁有單級單元(SLC)NAND閃存的速度，同時提供四級單元(QLC)NAND閃存的容量，并盡可能以最小的尺寸實現這一目標。據稱，X-NAND的隨機讀寫與寫入比QLC閃存快三倍，連續讀取快27倍，連續寫入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND閃存的37%，還可以根據實際需要縮減芯片的尺寸，功耗也更低。

　　X-NAND技術可以與現有的任何NAND閃存配合使用，不需要進行結構更改，沒有額外的制造成本，從而提高了靈活性并簡化了轉換速度。未來NEO半導體很可能會將X-NAND技術授權給NAND閃存芯片的制造商，包括Kioxia(鎧俠)、美光、三星和SK海力士等。